Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 6A, 10V |
|---|---|
| FET Feature | Current Sensing |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 6 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 24 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.4W (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 4-DFN |
| Корпус производителя | 4-PLLP (6.2x5.2) |
| Рабочая температура | -55°C~175°C(TJ) |
|---|