Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 3A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2025 pF @ 30 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Напряжение сток-исток | 1500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 3W (Ta), 78W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-3PF-3 |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|