NDD01N60T4G

onsemi

NDD01N60T4G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 600V 1.5A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.5Ohm @ 200mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds160 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id3.7V @ 50µA

Электрические

Напряжение сток-исток600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.5A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность46W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяDPAK

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)