NDB6030PL

onsemi

NDB6030PL

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 19A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1570 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность75W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 175°C (TJ)