NDB6020P

onsemi

NDB6020P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1590 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность60W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK (TO-263)

Среда

Рабочая температура-65°C ~ 175°C (TJ)