NCV5707BDR2G

onsemi

NCV5707BDR2G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаInverting
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)9.2ns, 7.9ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)7.8A, 6.8A
Logic Voltage - VIL, VIH0.75V, 4.3V
Напряжение питания7V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TA)