NCV5701CDR2G

onsemi

NCV5701CDR2G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeIGBT
Тип входаNon-Inverting
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers1
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Rise / Fall Time (Typ)9.2ns, 7.9ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)7.8A, 6.8A
Logic Voltage - VIL, VIH0.75V, 4.3V
Напряжение питания20V

Механические

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TA)
QualificationAEC-Q100