NCV51511PDR2G

onsemi

NCV51511PDR2G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNCV51511
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)6ns, 4ns
СерияAutomotive, AEC-Q100

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)3A, 6A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)100 V
Logic Voltage - VIL, VIH2V, 1.8V
Напряжение питания8V ~ 16V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус производителя8-SOIC-EP

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C (TJ)