NCP81085MTTXG

onsemi

NCP81085MTTXG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

HIGH PERFORMANCE DUAL MOSFET GAT

В производстве9-WDFN Exposed PadАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNCP81085
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHigh-Side and Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 7ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Напряжение питания8.5V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case9-WDFN Exposed Pad
Корпус производителя9-WDFN (4x5)

Среда

Рабочая температура-40°C~140°C(TJ)