NCP81075DR2G

onsemi

NCP81075DR2G

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNCP81075
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHigh-Side or Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)8ns, 7ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)4A, 4A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.7V
Напряжение питания8.5V ~ 20V

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-40°C~140°C(TJ)