NCP5111PG

onsemi

NCP5111PG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Устаревший8-DIP (0.300", 7.62mm)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNCP5111
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeIGBT, N-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)85ns, 35ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)250mA, 500mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.3V
Напряжение питания10V ~ 20V

Механические

КорпусTube
Package / Case8-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус производителя8-PDIP

Среда

Рабочая температура-40°C~125°C(TJ)