NCP303150MNTWG

onsemi

NCP303150MNTWG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39

В производстве39-PowerVFQFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberNCP303150
Channel TypeSingle
Driven ConfigurationHalf-Bridge, Low-Side
Gate TypeN-Channel MOSFET
Тип входаNon-Inverting
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)17ns, 26ns

Электрические

Current - Peak Output (Source, Sink)100mA, 100mA
High Side Voltage - Max (Bootstrap)30 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.65V, 2.7V
Напряжение питания4.5V ~ 5.5V

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case39-PowerVFQFN
Корпус производителя39-PQFN (5x6)

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 125°C (TJ)