MVB50P03HDLT4G

onsemi

MVB50P03HDLT4G

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK-3

УстаревшийTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 25A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4900 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияAutomotive, AEC-Q101
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность125W (Tc)

Механические

КорпусBulk
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Корпус производителяD²PAK

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)