Общие
| Производитель | onsemi |
|---|---|
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка | Bulk |
| Статус позиции | В производстве |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP Complementary |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 100µA, 1mA |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 1mA, 5V |
| Power - Max | 500mW |
| Frequency - Transition | 50MHz |
Механические
| Package / Case | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
|---|---|
| Корпус производителя | 14-PDIP |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|