Общие
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | * |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | * |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 800mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | SOT-223-3 |
| Корпус производителя | SOT-223 |
| Рабочая температура | -65°C~150°C(TJ) |
|---|