Общие
| Базовый Part Number | MJD50 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 1A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 300mA, 10V |
| Power - Max | 1.56 W |
| Frequency - Transition | 10MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус производителя | DPAK |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|