Общие
| Базовый Part Number | MJD45 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 400mA, 8A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 4A, 1V |
| Power - Max | 1.75 W |
| Frequency - Transition | 90MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA |
| Корпус производителя | IPAK |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|