Общие
| Базовый Part Number | MJD31 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 375mA, 3A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 4V |
| Power - Max | 1.56 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | I-PAK |
Среда
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C (TJ) |
|---|