Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 266mOhm @ 750mA, 4.5V |
|---|---|
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 120 pF @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 800mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 5-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | 5-MCPH |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|