Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 1A, 4V |
|---|---|
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 115 pF @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 20 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 800mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
| Корпус производителя | 5-MCPH |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|