Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 890mOhm @ 400mA, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165 pF @ 20 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 100 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 900mW (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Корпус производителя | 3-MCPH |
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|