MBR8170TFSTBG

onsemi

MBR8170TFSTBG

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SCHOTTKY 170V 8A 8WDFN

В производстве8-PowerWDFNАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Capacitance @ Vr, F237pF @ 1V, 1MHz
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
ТехнологияSchottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)170 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If890 mV @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)8A
Current - Reverse Leakage @ Vr30 µA @ 170 V
СкоростьFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
Корпус производителя8-WDFN (3.3x3.3)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C