Общие
| Базовый Part Number | KSD2012 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 200mA, 2A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 500mA, 5V |
| Power - Max | 25 W |
| Frequency - Transition | 3MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-220F-3 |
Среда
| Рабочая температура | 150°C (TJ) |
|---|