IRLM210ATF

onsemi

IRLM210ATF

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 200V 770MA SOT223-4

УстаревшийTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 390mA, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds240 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C770mA (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.8W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)