IRLM120ATF

onsemi

IRLM120ATF

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT223-4

Снят с производстваTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 1.15A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds440 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.3A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность2.7W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223-4

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)