IRFR224BTM_TC002

onsemi

IRFR224BTM_TC002

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.1Ohm @ 1.9A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.8A (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252AA