HUFA75307T3ST

onsemi

HUFA75307T3ST

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4

УстаревшийTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds250 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияUltraFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.1W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101