HUF76629D3ST-F085

onsemi

HUF76629D3ST-F085

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 20A TO252

УстаревшийTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1280 pF @ 25 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияUltraFET™
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность150W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)

Среда

GradeAutomotive
Рабочая температура-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101