Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 53 nC |
|---|---|
| IGBT Type | NPT |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 65 ns |
| Switching Energy | 450µJ (on), 390µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 22ns/160ns |
| Test Condition | 960V, 5A, 25Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 21 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Power - Max | 167 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-3 |
| Корпус производителя | TO-220-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|