Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 8A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2225 pF @ 20 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение сток-исток | 45 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 2.4W (Ta) |
| Корпус | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Корпус производителя | 8-SOP |
| Рабочая температура | 150°C(TJ) |
|---|