Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 3.9A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 25 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Last Time Buy |
| Серия | QFET® |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.8A (Tc) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 50W (Tc) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Корпус производителя | I-PAK |
| Рабочая температура | -55°C~150°C(TJ) |
|---|