FPF2C110BI07AS2

onsemi

FPF2C110BI07AS2

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

IGBT MODULE 650V 40A 300W F2

В производстве30-DIP ModuleАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberFPF2C110
КонфигурацияHalf Bridge
InputStandard
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
NTC ThermistorYes
Product StatusActive
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 15V, 40A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)40 A
Current - Collector Cutoff (Max)250 µA
Power - Max300 W

Механические

КорпусTray
Package / Case30-DIP Module
Корпус производителяF2

Среда

Рабочая температура-40°C ~ 150°C