Общие
| Базовый Part Number | FJBE21 |
|---|---|
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Серия | ESBC™ |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 330mA, 1A |
Технические характеристики
Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
Электрические
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 800 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 400mA, 3V |
| Power - Max | 110 W |
| Frequency - Transition | 5MHz |
Механические
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус производителя | D²PAK (TO-263) |
Среда
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C (TJ) |
|---|