Общие
| Gate Charge | 230 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 230 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.5 µs |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Power - Max | 176 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-264-3, TO-264AA |
| Корпус производителя | TO-264-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|