FGHL75T65LQDT

onsemi

FGHL75T65LQDT

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO2

В производствеTO-247-3Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Gate Charge793 nC
IGBT TypeTrench Field Stop
Тип входаStandard
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)152 ns
Switching Energy1.88mJ (on), 2.38mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C48ns/568ns
Test Condition400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic1.35V @ 15V, 75A

Электрические

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)300 A
Power - Max469 W

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-247-3
Корпус производителяTO-247-3

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)