Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 188 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Field Stop |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 47 ns |
| Switching Energy | 1.81mJ (on), 810µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/130ns |
| Test Condition | 400V, 60A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 60A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 180 A |
| Power - Max | 298 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3PN |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|