Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Gate Charge | 72.2 nC |
|---|---|
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Тип входа | Standard |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 31.8 ns |
| Switching Energy | 1.35mJ (on), 309µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 20.8ns/62.4ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Power - Max | 268 W |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Корпус производителя | TO-3PN |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
|---|