Общие
| Базовый Part Number | FFSPF1065 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Last Time Buy |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Базовый Part Number | FFSPF1065 |
|---|---|
| Capacitance @ Vr, F | 575pF @ 1V, 100kHz |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Product Status | Last Time Buy |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 200 µA @ 650 V |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Корпус | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Корпус производителя | TO-220F-2FS |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
|---|