FFSP1065B

onsemi

FFSP1065B

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARB 650V 11A TO220-2

В производствеTO-220-2Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberFFSP1065
Capacitance @ Vr, F421pF @ 1V, 100kHz
Производительonsemi
Тип монтажаThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)11A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

КорпусTube
Package / CaseTO-220-2
Корпус производителяTO-220-2

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C