FFSD0865B

onsemi

FFSD0865B

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

DIODE SIL CARB 650V 11.6A DPAK

В производствеTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Базовый Part NumberFFSD0865
Capacitance @ Vr, F336pF @ 1V, 100kHz
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
УпаковкаTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Статус позицииВ производстве
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
ТехнологияSiC (Silicon Carbide) Schottky

Электрические

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.7 V @ 8 A
Current - Average Rectified (Io)11.6A
Current - Reverse Leakage @ Vr40 µA @ 650 V
СкоростьNo Recovery Time > 500mA (Io)

Механические

Package / CaseTO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус производителяTO-252 (DPAK)

Среда

Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C