FDZ663P

onsemi

FDZ663P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 2.7A 4WLCSP

Устаревший4-XFBGA, WLCSPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs134mOhm @ 2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds525 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA, WLCSP
Корпус производителя4-WLCSP (0.8x0.8)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)