FDZ299P

onsemi

FDZ299P

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 4.6A 9BGA

Устаревший9-WFBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.6A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds742 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.7W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case9-WFBGA
Корпус производителя9-BGA (2x2.1)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)