FDZ209N

onsemi

FDZ209N

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA

Устаревший12-WFBGAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds657 pF @ 30 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case12-WFBGA
Корпус производителя12-BGA (2x2.5)

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)