FDZ191P

onsemi

FDZ191P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP

Устаревший6-UFBGA, WLCSPАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds800 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность1.9W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFBGA, WLCSP
Корпус производителя6-WLCSP (1x1.5)

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)