Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 200mA, 4.5V |
|---|---|
| Базовый Part Number | FDV30 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11 pF @ 10 V |
| Производитель | onsemi |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Напряжение сток-исток | 25 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA (Ta) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 350mW (Ta) |
| Корпус | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус производителя | SOT-23-3 |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|