FDT458P

onsemi

FDT458P

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 30V 3.4A SOT223-4

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs130mOhm @ 3.4A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds205 pF @ 15 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.4A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)