FDT1600N10ALZ

onsemi

FDT1600N10ALZ

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 100V 5.6A SOT223-4

В производствеTO-261-4, TO-261AAАналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 2.8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds225 pF @ 50 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.6A (Tc)
Макс. рассеиваемая мощность10.42W (Tc)

Механические

КорпусTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
Корпус производителяSOT-223-4

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)