FDS8935

onsemi

FDS8935

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET 2P-CH 80V 2.1A 8SOIC

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs183mOhm @ 2.1A, 10V
Базовый Part NumberFDS89
Конфигурация2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds879pF @ 40V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A
Power - Max1.6W

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C ~ 150°C (TJ)