FDS6575

onsemi

FDS6575

Datasheet

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC

В производстве8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 10A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4951 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusActive
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность2.5W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SOIC

Среда

Рабочая температура-55°C~175°C(TJ)