FDS6162N7

onsemi

FDS6162N7

Аналоговые и силовые компоненты

MOSFET N-CH 20V 23A 8SO

Устаревший8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Аналоговые и силовые компоненты

Технические характеристики

Структурированные электрические, механические и экологические параметры из импортированных атрибутов.

Общие

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5mOhm @ 23A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5521 pF @ 10 V
Производительonsemi
Тип монтажаSurface Mount
Product StatusObsolete
СерияPowerTrench®
ТехнологияMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Электрические

Напряжение сток-исток20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Макс. рассеиваемая мощность3W (Ta)

Механические

КорпусTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус производителя8-SO

Среда

Рабочая температура-55°C~150°C(TJ)